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電子產(chǎn)品及系統(tǒng)向便攜式、小型化、高性能化方向發(fā)展,處理器芯片的內(nèi)頻越來(lái)越高,功能越來(lái)越強(qiáng),引腳數(shù)越來(lái)越多,芯片特征尺寸不斷變小,封裝的外形尺寸也在不斷改變。封裝已變得和芯片一樣重要,封裝質(zhì)量的好壞直接影響到芯片性能的好壞和與之連接的PCB的設(shè)計(jì)和制造。

IC封裝器件長(zhǎng)期使用的可靠性主要因素取決于芯片的互連技術(shù),通過(guò)檢測(cè)分析,器件的失效約25%是由芯片互連較差導(dǎo)致的。芯片互連引起的失效主要表現(xiàn)為引線虛焊、分層、壓焊過(guò)重導(dǎo)致的引線變形及損傷、焊點(diǎn)間距過(guò)小而易于短路等,這些失效形式都與材料表面的污染物有關(guān),主要包括微顆粒、氧化薄層及有機(jī)殘留等污染物。在線式等離子清洗技術(shù)為人們提供了一條環(huán)保有效的解決途徑,已變成高自動(dòng)化的封裝工藝過(guò)程中不可缺少的關(guān)鍵設(shè)備和工藝。

IC封裝工藝中存在的問(wèn)題

IC封裝形式千差萬(wàn)別,且不斷發(fā)展變化,但其生產(chǎn)過(guò)程大致可分為晶圓切割、芯片置放裝架、內(nèi)引線鍵合、密封固化等十幾個(gè)階段,只有封裝達(dá)到要求的才能投入實(shí)際應(yīng)用,成為終端產(chǎn)品。IC封裝中存在的問(wèn)題主要包括焊接分層、虛焊或打線強(qiáng)度不夠,導(dǎo)致這些問(wèn)題的罪魁禍?zhǔn)拙褪且€框架及芯片表面存在的污染物,主要有微顆粒污染、氧化層、有機(jī)物殘留等,這些存在的污染物使銅引線在芯片和框架基板間的打線焊接不完全或存在虛焊。

通過(guò)對(duì)引線鍵合分層及虛焊進(jìn)行試驗(yàn)分析,發(fā)現(xiàn)大部分的零件都存在輕微的分層及部分虛焊,在測(cè)試過(guò)程中不會(huì)被發(fā)現(xiàn),但在應(yīng)用的過(guò)程中,會(huì)導(dǎo)致功能衰退現(xiàn)象的發(fā)生,給IC制造商造成了巨大的經(jīng)濟(jì)損失。應(yīng)用接觸角即表面張力能夠有效表示污染物的數(shù)量,通過(guò)對(duì)接觸角與封裝分層及虛焊對(duì)比關(guān)系的分析,分析表明隨著接觸角的不斷減小,分層及虛焊現(xiàn)象也逐漸減少,當(dāng)接觸角小于15°后,分層及虛焊現(xiàn)象已經(jīng)幾乎不再出現(xiàn)。其對(duì)比關(guān)系如表1。

在線式等離子清洗工藝在IC封裝工藝中的應(yīng)用

等離子清洗主要通過(guò)活性等離子體對(duì)材料表面進(jìn)行物理轟擊或化學(xué)反應(yīng)等單一或雙重作用,從而實(shí)現(xiàn)材料表面分子水平的污染物去除或改性,應(yīng)用在IC封裝工藝中能夠有效去除材料表面的有機(jī)殘留、微顆粒污染、氧化薄層等,提高工件表面活性,避免鍵合分層或虛焊等情況。

與傳統(tǒng)獨(dú)立式的等離子清洗設(shè)備相比,在線式等離子清洗設(shè)備具有自動(dòng)化程度高、清洗效率高、設(shè)備潔凈度高、適應(yīng)范圍廣等優(yōu)點(diǎn),適用于大規(guī)模全自動(dòng)化生產(chǎn)。在線式等離子清洗工藝可以避免人為因素長(zhǎng)時(shí)間接觸引線框架而導(dǎo)致的二次污染以及腔體式批量清洗時(shí)間長(zhǎng)有可能造成的芯片損傷。