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等離子去膠

光刻膠(Resist或PhotoResist,簡稱PR)?又稱光致抗蝕劑是一種有機化合物它受紫外光、準分子激光、電子束、離子束、射線等光源曝光后在顯影液中的溶解度會發生變化。光刻膠主要用于集成電路和半導體分立器件的微細加工同時在平板顯示、倒扣封裝、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有著廣泛的應用。由于光刻膠具有光化學敏感性可利用其進行光化學反應將光刻膠涂覆半導體、導體和絕緣體上，經曝光、顯影后留下的部分對底層起保護作用然后采用蝕刻劑進行蝕刻就可將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工的襯底上。因此光刻膠是微細加工技術中的關鍵性化工材料。刻蝕以后的步驟之一是去除光刻膠，光刻膠用來作為從光刻掩膜版到硅片表面的圖形轉移媒介以及被刻蝕區域或被離子注入區域的阻擋層。一旦刻蝕或注入完成，光刻膠在硅片表面就不再有用必須完全去除。

光刻膠去除（PhotoResist Removal）

光刻膠去除技術在微電子工業中占有非常重要的地位，集成電路制造工藝的去膠的好壞直接影響產品的成品率及器件和電路的制造成本。主要方法有濕法去膠和干法去膠。干法去膠是用氧氣等離子體灰化（O2 Plasma Ashing）將光刻膠剝除。干法去膠有著濕法去膠不可比擬的優點，在現代半導體工業中被廣泛應用。

干法等離子去膠

等離子體又叫做電漿是由部分電子被剝奪后的原子及原子被電離后產生的正負帶電粒子組成的離子化氣體狀物質。氣體中總存在一些微量的自由電子在外電場的作用下這些電子便加速運動。當電子在外電場中獲得足夠的能量后與氣體分子發生碰撞時可以使氣體分子電離而發射出二次電子這些二次電子又可進一步與氣體分子發生碰撞電離產生更多的電子和離子在這同時由于又存在電子與離子相復合的逆過程電離與復合這兩個過程最終必將達到一種平衡狀態出現穩定的輝光放電現象形成穩定的等離子體。

在放電過程中除了形成電子與離子之外還可產生激發態的分子、原子及各種原子團這些東西統稱為游離基。這種游離基具有高度的化學活性正是它們與被腐蝕材料的表面發生化學反應形成揮發性的產物使材料不斷被腐蝕。

作為被刻蝕的對象光刻膠可以理解為由碳、氫、氧、氮等元素組成的長鏈有機聚合物，干法去膠主要利用氧等離子體將光刻膠灰化掉。

O2在室溫下不顯著侵蝕光刻膠，但在等離子去膠機中氧氣被電離成O2-、O2+、O-、O+、氧原子O、臭氧等活潑的等離子體，其中氧原子能量很高，在高頻電場的輔助下可以使基片上的光致抗蝕劑與其快速發生氧化反應生成CO、CO2、H2O和其它揮發性氧化物，被真空泵抽走，實現去膠的目的。

CxHy＋O→CO↑＋CO2↑+H2O↑

與此同時氧離子對光刻膠進行物理轟擊破壞光刻膠表面形貌移除松散結合的原子并增強刻蝕產物的解吸附過程加快氧原子與光刻膠表面的反應。